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UHF20FCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89064
Revision: 13-May-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
TA
= 125 °C
TA
= 175 °C
TA
= 25 °C
TA
= 150 °C
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V
)
J
u
nction Capacitance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vstg
= 50 m
Vp-p
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.1
1
10
0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
0.001 0.01
Junction to Case
ITO-220AB
0.076 (1.93) REF.
45° REF.
PIN
3
2
1
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 (1.93) REF.
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.028
(0.71)
0.020 (0.51)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7° REF.
0.135 (3.43) DIA.
0.122 (3.08) DIA.
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
7° REF.
7° REF.
0.140 (3.56) DIA.
0.125 (3.17) DIA.
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
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